‏\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" طراحي سنسور ‏NBTI‏ با بررسي ميزان تغييرات زمان گذر \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" اختراعي در زمينه مهندسي برق ‏الكترونيك است. با توجه به كاهش اندازه ترانزيستور ها در تكنولوژي هاي جديد و بروز پديده هاي نوظهوري ‏از جمله \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\"ناپايداري به خاطر تغذيه منفي و دما در ترانزيستورهاي ‏PMOS‏ \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" يا همان ‏NBTI (Negative ‎Bias Temperature Instability)‎‏ ، عملكرد مطلوب مدارها در اثر گذر زمان دچار تخريب مي شود و به ‏اين ترتيب قابليت اعتماد ‏‎(Reliability)‎‏ در مدارهاي جديد كاهش مي يابد. به اين دليل وجود چنين ‏سنسورهايي بر روي تراشه الزامي است تا وضعيت مدار را از نقطه نظر تاثير اين پديده و پديده هاي مشابه در ‏طول عمر مدار بررسي كند و در مواقع بحراني كه عملكرد مدار در آستانه تخريب است هشدار لازم را بدهد تا ‏تصميمات لازم توسط بخشهاي ديگر تراشه اتخاذ و انجام شود.‏ از اين رو سنسور مورد نظر با پارامترهاي ارزنده اي از جمله مساحت و توان مصرفي كمتر ، زمان اندازه گيري ‏كمتر (سرعت بيشتر) و رزولوشن و بهره مطلوبي طراحي و شبيه سازي شده است و قابل استفاده در تمام ‏مدارهاي ديجيتال ‏CMOS‏ مي باشد